温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。通过蚀刻去掉热氧化形成的第１氧化膜（３）的一部分。将热硝酸作用于该去掉的部位（４），形成第２氧化膜（６）。使用低能量的氮等离子体（８）将这两个氧化膜（３、６）氮化，作为氮氧化膜的第１栅极绝缘膜（１...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。