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本发明涉及一种以碳化硅为基板制造的具有累积层通道的沟槽式金氧半电晶体结构。该电晶体结构包含沟槽闸极、以磊晶或离子布植形成的ｐ－基底层、ｎ＋掺杂区、ｐ＋掺杂区及同时形成于ｎ＋掺杂区、ｐ＋掺杂区的源极接触及形成于碳化硅基板的汲极。累积层通道位于...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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