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一种记忆胞元，具有：一源极区，一汲极区，一源极端控制闸，一汲极端控制闸，被安置于该源极端控制闸及该汲极端控制闸间之一射出闸，被安置于该源极端控制闸中之一源极端储存组件，及被安置于该汲极端控制闸中之一汲极端储存组件。为了设计记忆胞元程序，低电...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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