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一种减少金属线缺陷的改进工艺，其特征在于： １）上下层Ｔｉ／ＴｉＮ溅射：厚度为（５－１５）／（２０－３０）纳米；２）Ａｌ层溅射：Ａｌ靶材成分为Ａｌ－Ｃｕ，其中Ｃｕ占０．８－１．２％质量比，溅射温度为２５０－３５０℃，溅射膜厚度为４００...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司、上海华虹（集团）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司、上海华虹（集团）有限公司授权不得商用。