专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
ACM研究公司
>
使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构技术
>技术资料下载
下载使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构的技术资料
文档序号:3206723
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法,包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层,以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面,以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层,以暴露出非凹槽区。...
该专利属于ACM研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过ACM研究公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。