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激光诱导下的氮化镓Ｐ型有效掺杂制备方法，其特征在于其工艺步骤为：　　　　１）、用溅射或者蒸发的方法在ＧａＮ样品表面淀积一层２００～３００ｎｍ厚的金属锌薄层；　　　　２）、将Ｚｎ／ＧａＮ样品预加热到２００～３００℃；　　　　３）、用固体激光器...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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