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本发明揭示了具有低通态压（Ｖ↓［ｆ］）和可将反向电流（Ｉ↓［ｒｅｖ］）维持在相对低的结构的创新的以Ⅲ族为基的二极管。本发明的一实施例是由费米能级（或表面电势）不固定的氮化镓材料系统制成的萧特基障壁二极管（１０）。在金属－半导体接面的障壁电压...
该专利属于美商克立股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美商克立股份有限公司授权不得商用。

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