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在具有ＭＩＳ（金属－绝缘膜－半导体）结构的半导体器件中，在半导体上使用以ＡＬ、Ｏ、Ｎ原子为主体的膜。另外，在具有ＭＩＳ结构的半导体器件中，在源和漏之间的沟道区上，作为栅绝缘膜而设置以ＡＬ、Ｏ、Ｎ原子为主体的膜。满足栅长为０．０５μｍ等级的半...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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