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纵向多面栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅ＭＯＳＦＥＴ的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源／漏区１、多晶硅栅４、下漏／源区３的ＭＯＳ三层结构，多晶...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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