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引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇（Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］），氧化镧（Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］），和镧系的其它氧化...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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