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本发明公开了一种高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备该膜的方法，它是在（１１１）取向硅单晶基片表面上依次溅射沉积钽１～４ｎｍ、镍铁１～４ｎｍ、铜１～３ｎｍ、钴１～４ｎｍ材料层。该高巨磁电阻效应纳米多层膜结构简单且巨磁电阻值高达１００％。本发明纳...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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