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本发明公开了一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法，其步骤为：对蓝宝石（０００１）衬底表面进行预处理和氮化处理，修正和控制蓝宝石（０００１）衬底的原子结构，以实现ＺｎＯ基薄膜的极性控制生长和消除旋转畴；采用在低、中、高三个温度分别生长ＺｎＯ基...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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