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本发明涉及到在基于外延的ＣＭＯＳ或ＢｉＣＭＯＳ工艺中提供三阱的方法，其中，在外延淀积之前，注入三阱。...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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