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本发明包括一种提供存储单元［６１２］磁稳定性的方法。存储单元［６１２］通常位于靠近传导线［６１４］处，同时靠近于可以设置存储单元［６１２］磁性状态的写入机构。该方法包括接收一个从写入机构可获得的最大磁场强度的表示。可以生成存储单元［６１２］...
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