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与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一ＴｉＮ第一或主要（氮化钛）层以及一ＴａＮ（氮...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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