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电容元件（２６）具有：在设置在半导体衬底（１０）的第三层间绝缘膜（２２）上的开口部（２２ａ）的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极（２３）、形成在该下部电极（２３）之上的由介质构成的电容绝缘膜（２４）...
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