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一种蚀刻中止层的重作方法，用于一半导体结构上，该半导体结构至少包括一非晶硅层、一残缺的蚀刻中止层及一第一图案化光致抗蚀剂层，该残缺的蚀刻中止层形成于该非晶硅层上，该第一图案化光致抗蚀剂层形成于该残缺的蚀刻中止层上，该方法至少包括：　　　　去...
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