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本发明公开了一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，该薄膜由具有通式为ＳｉＯ↓［ｘ］Ｒ↓［ｙ］的材料制成；薄膜中的化学键是Ｓｉ－Ｏ键、Ｓｉ－Ｃ键和Ｃ－Ｈ键；薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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