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本发明提供了一种通过注氧隔离（ＳＩＭＯＸ）技术批量生产理想的部分硅绝缘体基片的方法，该方法可避免掩埋式氧化物薄膜透过基片表面而曝露，且硅绝缘体区与非硅绝缘体区之间不会形成表面高度差。本发明的硅绝缘体基片制造方法包括：在单晶硅半导体基片的表面...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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