温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明利用原子层淀积（ＡＬＤ）方法提供了金属膜，它包含ⅣＢ或ⅤＢ族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ＡＬＤ方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积（ＰＥ－ＡＬＤ）方法。本发明的方法能够在衬...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。