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提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片（１０１）上形成的由Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（其中，０≤ｘ≤１）构成的第一化合物层（１０２）、在第一化合物层（１０２）上形成的由Ｉｎ↓［ｙ］Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［１－ｙ－ｚ...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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