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一种光接收装置包括硅衬底１００、在所述衬底１００上的第一Ｐ型扩散层１０１、以及在所述第一Ｐ型扩散层１０１上的Ｐ型半导体层１０２。在所述Ｐ型半导体层１０２表面部分上，设置两个Ｎ型扩散层１０３和１０３作为光接收部分，并且设置第二Ｐ型扩散层１０４...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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