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本发明的生长ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的方法，采用的是磁控溅射法：反应室真空度抽到至少４×１０↑［－３］Ｐａ，以铝的质量百分含量为０．１～０．３％的锌铝合金为靶材，以纯度９９．９９％以上的Ｎ↓［２］Ｏ和纯度９９．９９％以上的Ｏ↓［２］作为溅射气氛，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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