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硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需４５０℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有ＩＣ存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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