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本发明是关于具有较低位错密度并且表面的载流子浓度分布基本上均匀的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法。本发明提供了位错密度低，并且具有足够厚度的载流子浓度偏差范围较小的表面层的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体自支撑衬底及其制造方法。该半导体衬底是由...
该专利属于日立电线株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立电线株式会社授权不得商用。

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