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本发明提供在具有不同晶体取向的ＳＯＩ衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个ＳＯＩ衬底的集成半导体结构，ＳＯＩ衬底具有第一晶体取向的顶部半导体层以及具有第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料与顶...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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