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本发明的目的是提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有适于后续器件如高频器件制造的电性能和结构质量，以便该器件可以显示出稳定的和线性的特性；以及提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有低密度的结构缺陷和基本上受控的均匀径向分布的电阻率。...
该专利属于诺斯泰尔股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺斯泰尔股份公司授权不得商用。

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