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本发明提供一种使用镶嵌－栅极工艺，用于通过应变Ｓｉ提高ＦＥＴ的迁移性能的方法。通过在沟道区引入局部应变，而不在器件源和漏区引入应变，在Ｓｉ或硅绝缘体（ＳＯＩ）结构中故意造成迁移率和ＦＥＴ特性的变化。本发明方法的优点在于，不使源和漏结应变而得...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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