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本发明揭示了一种制作于第一导电类型基片之上的萧特基器件。该器件包括用于降低正向势垒高度而设计的第一导电类型的第一扩散区。该器件进一步包括和第一扩散区相毗邻的用于减小器件反向漏电流而设计的第二导电类型的第二扩散区。...
该专利属于谢福淵;蒲莱恩所有，仅供学习研究参考，未经过谢福淵;蒲莱恩授权不得商用。

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