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本发明揭示一种高频性能得以提高的Ⅲ族氮化物基础高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）（１０）。ＨＥＭＴ（１０）的一实施例包括一氮化镓缓冲层（２６），而在氮化镓缓冲层（２６）上具有一Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ（ｙ＝１或ｙ≈１）层（２８）。一Ａｌ↓...该专利属于美商克立股份有限公司;美国加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过美商克立股份有限公司;美国加利福尼亚大学董事会授权不得商用。