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本发明公开了一种涉及高压器件的多电位场极板高压Ｎ型金属氧化物半导体管，由Ｎ型衬底、Ｐ型外延层、源、漏、多晶硅栅、场氧化层和氧化层组成，在场氧化层的上方且位于漏和多晶硅栅之间设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与漏连接。本发明引入了与漏端等电位的...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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