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密封电介质层（１）施加在多孔电介质层（２）与金属扩散层（７）之间。密封电介质层封闭多孔电介质层表面和侧壁上的孔。本发明允许使用薄的金属扩散阻挡层，而不会在金属扩散阻挡层产生针孔。密封电介质层是组成为Ｓｉ↓［ｘ］Ｃ↓［ｙ］∶Ｈ↓［ｚ］的ＣＶＤ...
该专利属于陶氏康宁公司所有，仅供学习研究参考，未经过陶氏康宁公司授权不得商用。

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