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在一揭示的实施例中，形成硅－锗基极，其包含杂质基极区、连接基极区、及本质基极区。可为氧化硅的蚀刻阻挡层沉积于硅－锗基极上。接着于硅－锗基极上的蚀刻阻挡层上形成多晶硅层。将多晶硅层图型化以形成暂时发射极。举例而言，在制造暂时发射极之后，布植掺...
该专利属于杰斯半导体公司纽波特分厂所有，仅供学习研究参考，未经过杰斯半导体公司纽波特分厂授权不得商用。

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