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提供了具有低Ｋ电介质性质的半导体结构的制作方法。在一实例中，在低Ｋ电介质绝缘体（１０２）中制作铜双重镶嵌结构（１００），该低Ｋ电介质绝缘体（１０２）包括在其中限定特征元件（１０４）之前在该绝缘体上方形成压盖膜（１１０）。在铜形成于该特征元件...
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