温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
在制造集成电路时，第一电极（４８）形成在衬底（２８）上。在第一实施例中，在第一电极（４８）的顶部形成钽酸锶铋层（５）和第二电极（５２）。在最后晶化退火之前，对第一电极（４８）、钽酸锶铋层（５０）和第二电极（５２）进行构图。然后在衬底（２８）...该专利属于塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
在制造集成电路时，第一电极（４８）形成在衬底（２８）上。在第一实施例中，在第一电极（４８）的顶部形成钽酸锶铋层（５）和第二电极（５２）。在最后晶化退火之前，对第一电极（４８）、钽酸锶铋层（５０）和第二电极（５２）进行构图。然后在衬底（２８）...