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本发明涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设备，该制备方法包括如下步骤：在硅片的正面制绒之后，制备PN结；在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺杂多晶硅层及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD，沉积温度为150℃～...
该专利属于通威太阳能（眉山）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能（眉山）有限公司授权不得商用。

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