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本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置，该晶体管又具有在绝缘基板（１００）上形成的多晶半导体薄膜（２）。该半导体装置，在半导体薄膜（１００）内具有沟道区域（８０）、分别位于沟道区域（８０）两侧的源极区域（９１）和漏极区域（９２）。沟道区域...
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