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本发明揭示大面积高质量高热导率的准氮化铝生长衬底和准氮化镓基生长衬底及其在氮化铝陶瓷片上生长的技术和工艺。由此得到的生长衬底可以减小氮化镓基外延层和生长衬底之间的晶格常数和热胀系数的差别，具有优良的热导率，可以应用于低成本的生长高质量大功率...
该专利属于金芃所有，仅供学习研究参考，未经过金芃授权不得商用。

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