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本发明揭示新型大功率半导体芯片或器件（包括ＧａＮ基发光二极管）倒扣焊组合和灯具，以及低成本的晶片水平的倒扣焊的制造工艺方法。属于半导体光电子技术领域。本发明包括：半导体芯片或器件的外延层倒扣焊到衬底基片，剥离衬底晶片，沉积特定形状的电极到外...
该专利属于金芃所有，仅供学习研究参考，未经过金芃授权不得商用。

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