温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法，基于脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：在真空条件下，利用激光照射旋转靶材进行预打靶，然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb...
该专利属于上海交大平湖智能光电研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海交大平湖智能光电研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。