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本发明提出了隧穿增强型垂直结构的HEMT器件。该HEMT器件包括：衬底；缓冲层，设置在衬底的一个表面上；电流阻挡层，设置在缓冲层远离衬底的表面；沟道层，覆盖防扩散层、电流阻挡层和部分的缓冲层；势垒层，设置在沟道层远离衬底的表面；防扩散层，设...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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