温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种用来腐蚀形成在异质结双极晶体管（ＨＢＴ）中的ＧａＡｓ层与ＩｎＧａＰ层之间的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ↓［ｙ］Ｐ↓［１－ｙ］四元界面层的方法。根据此方法，采用对ＩｎＧａＰ有选择性的腐蚀剂腐蚀ＧａＡｓ层，暴露界面。然后采用对Ｉｎ...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。