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在基板上生长晶体（例如ＧａＮ类化合物半导体晶体）的方法，至少包含：形成第１晶体层（ＧａＮ类缓冲层）的工序；形成第２晶体层（ＧａＮ类中间层）的工序；以及形成第３晶体层（ＧａＮ类厚膜层）的工序，上述３个工序在不同的条件下分别生长晶体层。...
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