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本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的ＬＥＤ电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底（１）；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层（８）；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜（３）；第四层是在银高反镜上的...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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