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本发明涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片。本发明通过交替生长的超晶格层的设置实现了对半导体缓冲层的位错线的有效阻挡，极大的降低了整个缓冲层的位错密度，解决了由于位错密度偏大导...
该专利属于至芯半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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