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本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件,以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光...该专利属于夏普株式会社;株式会社日本激光所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社;株式会社日本激光授权不得商用。
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本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件,以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光...