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本发明公开了一种磁存储器及数据选通销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结；所述至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁隧道结对应的数据。至少一个销...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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