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本发明公开了一种处理碳化硅衬底的方法，用于改进其外延沉积和作为制造如发光二极管等器件的前体。该方法包括如下步骤：在一种或多种预定掺杂浓度和注入能量下，将第一导电类型的掺杂原子注入到与注入离子有相同的导电类型的导电碳化硅晶片第一表面，形成一种...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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