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一种存储单元，可以是存储器单元，和包括存储器单元阵列的集成电路芯片（ＩＣ），以及形成所述ＩＣ的方法。每个存储单元在顶部和底部电极之间形成。每个单元包括可以是硫族化物的相变层，尤其是锗（Ｇｅ），锑（Ｓｂ），碲（Ｔｅ）或ＧＳＴ层。所述单元还包括...
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