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一种金属配线的多步干法刻蚀方法技术
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文档序号:3202392
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一种金属配线的多步干法刻蚀方法,该金属配线的断面具有多层膜结构,包括两层氮化钛/钛层,其氮化钛/钛层的顶部包覆有氮氧化硅/氧化硅层,底部包覆有下地氧化膜,其工艺步骤为: 氮氧化硅/氧化硅主刻蚀,在一定的压力、源功率、偏置功率及反应气...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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